11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)暨第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)在廈門召開，國星光電應邀出席論壇并斬獲“品牌力量”獎項。

　　■赴約盛會

　　IFWS&SSLCHINA是中國地區舉辦的、專業性最強、影響力最大的第三代半導體領域國際性年度盛會，也是規模最大、規格最高的第三代半導體全產業鏈綜合性論壇。

　　■斬獲殊榮

　　“品牌力量”獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發，是為發展第三代半導體和半導體照明產業所屬領域的優秀企業和優勢品牌所創立，獲得該獎項是對國星光電在半導體照明產業領域出色表現的高度認可。

　　近年來，國星光電堅持創新引領發展，以領先技術驅動產品創新，不斷夯實品牌在業界的影響力，努力在LED應用新藍海實現突圍。

　　突破瓶頸

　　助推Micro LED加速前行

　　Micro LED 是在驅動背板上集成高密度微小尺寸的LED陣列，具有高像素密度、高亮度、更輕薄、低功耗等特點，在超大尺寸安防屏/會議屏、車載顯示屏、數字化車燈、可穿戴設備等領域具有廣闊的產業化與商業化應用前景。雖然Micro LED性能優勢顯著，但受制于技術瓶頸，Micro LED產業化道路仍充滿挑戰。

　　作為LED封裝行業龍頭企業，國星光電于2018年率先成立Mini&Micro LED研究中心，2020年成立廣東省半導體微顯示重點實驗室，為攻關技術瓶頸提供有力支撐。目前，公司已在巨量轉移、共晶鍵合、量子點全彩化等多項關鍵技術上取得突破，并開發出玻璃基被動式驅動透明Micro LED全彩顯示模組和主動式驅動Micro LED全彩顯示模組、硅基0.39英寸單色Micro LED微顯示模組、萬級像素Micro LED數字化車燈光源模組、MIP0404直顯分立器件 等產品及技術解決方案，可應用于4k/8k大尺寸安防屏、智慧屏、車載顯示屏、數字化車燈、智能手表及AR/VR可穿戴設備等領域，助推Micro LED產業化加速發展。

　　▲論壇上，國星光電發表了《Micro LED顯示技術及其產業化應用趨勢》的專題演講，分享了公司在Micro LED領域的最新進展。

　　深入探索

　　豐富第三代半導體場景應用

　　以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體，因具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的導熱率，以及更強的抗輻射能力等優勢，在半導體照明、新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣闊的應用前景。據智研咨詢預測，2023年國內第三代半導體市場規模將達到152.15億元，2028年將達到583.17億元，2023年到2028年復合增長率為30.83%。

　　2019年，國星光電已開始了組建功率器件實驗室及功率器件產線的工作。經過持續的創新開拓，國星光電SiC(碳化硅)及GaN(氮化鎵)產品線不斷擴展，其中，在SiC應用領域，已形成以TO封裝為主的SiC-SBD與SiC-MOS產品，相關產品已獲AEC-Q101車規認證，產品可廣泛應用于黑白家電、移動儲能逆變器、新能源汽車等領域。在GaN應用領域，國星光電具備DFN與TO多種封裝形式，并結合應用方案推出了控制+驅動+GaN的集成化封裝器件，該器件可降低雜感，大幅簡化外圍電路。基于第三代半導體，公司還推出了應用于驅動電源市場的整體方案，其中快充墻插、60W/120W櫥柜燈驅動電源、100W磁吸燈驅動電源等產品已完成驗證并出貨。不斷豐富的第三代半導體產品布局，為國星光電持續拓展新應用場景提供有力支撐。

　　▲在同期舉辦的展覽展示活動上，國星光電攜第三代半導體系列產品、車載LED器件等多場景應用領域產品亮相。

　　當前，半導體照明產業發展態勢向好，技術創新活力迸發，應用場景持續拓展。以此次論壇為契機，國星光電立足LED封裝 主業優勢，堅持創新驅動發展戰略，堅持與產業鏈伙伴一道，合力攻關關鍵核心技術難題，努力實現關鍵領域的技術引領和自主可控，為半導體照明產業展翅騰飛賦能，為民族品牌高質量發展貢獻應有力量。