據悉，2015年度國家科學技術獎擬于2016年1月份在人民大會堂舉辦頒獎典禮。據分析，備受矚目的技術發明一等獎有望花落“硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”項目。硅襯底項目的主要參與人員孫錢表示，從國家戰略層面講，硅襯底技術是我國擁有自主知識產權的技術路線，可以構建中國完全自主的LED產業。

　　據上海證券報12月22日消息，與硅襯底技術并列LED三大技術路線的藍寶石襯底技術曾獲2014年諾貝爾物理學獎。有產業經濟學家表示，在成本持續下降的背景下，硅襯底技術如若能獲得資本大力追捧，LED產業格局有望被重塑。

　　16日國務院常務會議通過2015年度國家科學技術獎評選結果，根據此前的初評公示及歷史經驗判斷，2015年國家技術發明一等獎有望被 “硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”奪取，因為這是本年度唯一一個入選該獎項初評一等獎的項目。

　　“硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”由江西省申報，項目主要參與人員包括南昌大學的江風益教授、晶能光電(江西)有限公司的孫錢等人。

　　項目資料顯示，該項目率先攻克硅基相關難題，所生產的硅襯底LED各項指標在同類研究中均處于國際領先地位，并與碳化硅、藍寶石兩條技術路線水平持平;并從襯底加工、外延生長、芯片制造、器件封裝四大環節均發明了適合硅襯底高光效藍光LED生產的關鍵核心技術，自成體系;該項技術已經申請或擁有國際國內專利232項，其中已授權發明專利127項，實現了外延芯片核心部件每一層都有專利保護。

　　據介紹，國家技術發明一等獎判定標準為：屬國內外首創的重大技術發明或創新，技術經濟指標達到了同類技術領先水平，且推動相關領域技術進步且已產生顯著的經濟或者社會效益。

　　“硅襯底技術確實應該獲得這個大獎，他打破了日美國家在這個領域的技術壟斷，這是國家大力支持科技發明的體現。”一位接近國務院高層的產業經濟學家如此評價。

　　LED芯片襯底主要有三條技術路線：碳化硅襯底、藍寶石襯底、硅襯底。其中，前者走的是“貴族路線”，成本高昂，其襯底及LED制備技術被美國公司壟斷。藍寶石襯底技術則主要掌握在日本公司手中，成本較低，這是目前市場上的主流路線;但藍寶石晶圓散熱較差，晶體垂直生長困難很難做到大尺寸、無法制作垂直結構的器件，襯底也較難剝離。而第三條路線就是中國自主發展起來的硅襯底技術，它彌補了前兩大技術路線之不足。

　　“藍寶石技術發明者曾獲2014年諾貝爾物理學獎，從這個角度而言，硅襯底技術獲得中國國家技術發明一等獎的可能性很大。”有LED產業人士如此表示。

　　上述業內人士表示，硅襯底項目的重大創新意義在于：硅基氮化鎵技術是中國自主研發、擁有完全自主知識產權的技術路線，將構建中國LED產業標準，凸顯產業后發優勢;這一技術也將獲得國家的大力支持與推廣，對我國的LED產業格局有望產生革命性的影響。

　　孫錢表示，從國家戰略層面講，硅基氮化鎵技術是我國擁有自主知識產權的技術路線，可以構建中國完全自主的LED產業;從產業層面講，基于硅材料的價格低廉和易于獲取、硅基氮化鎵技術的優勢，利用成熟的集成電路產能，可以推動從設備到芯片、封裝等全產業鏈成本大為下降。“硅基氮化鎵技術接下來應該會得到國家相關政策的進一步扶持和支持，這對LED整個產業鏈都將會有巨大的影響，我們非常期待這些政策的落地。”孫錢如此說。