近期，賽富樂斯、歌爾科技、微玖(蘇州)光電、潤銀星潤光電等企業持續公示Micro LED相關專利進展。

　　其中，涉及量子點技術、激光剝離技術、全彩Micro-LED器件、紅光Micro LED芯片結構及制備，可提升Micro LED良率、光效、分辨率、壽命等。

　　■ 賽富樂斯：2則Micro-LED專利進入審中公布階段

　　7月22日，西安賽富樂斯半導體科技有限公司2則Micro LED專利進入審中公布階段，具體如下。

　　1)“高效率量子點Micro-LED色彩轉換層及其制備方法”：

　　本發明包括將外延片置于超凈清洗設備中進行表面清洗及烘干處理;將處理后的外延片置于電化學腐蝕機的容置槽內，注入電解質溶液;在設定的電解質溶液溫度下向外延片施加直流電壓進行腐蝕;將腐蝕完的外延片轉移至二次清洗槽進行超聲清洗，得到具有目標形貌納米孔結構的色彩轉換層。

　　通過調整Si摻雜濃度以及電化學參數，實現了具有上窄下寬喇叭狀形貌的納米孔結構，不僅通過光學漏斗效應將出光效率大幅提升，還利用漸變孔徑有效抑制了像素間串擾。更關鍵的是，納米孔的底部寬口結構和梯度Si摻雜技術優化了熱傳導路徑，顯著改善了量子點在高溫下工作的熱穩定性。

　　2)“基于復合膠帶臨時鍵合的Micro-LED激光剝離方法”：

　　本發明包括將復合膠帶平整粘貼于載體晶圓上;在器件晶圓表面涂敷保護性膠水進行粗化;將表面粗化后的器件晶圓與載體晶圓的復合膠帶層進行貼合;將復合膠帶層通過UV光進行曝光徹底固化;將固化后的器件晶圓復合膠帶載體晶圓進行激光剝離。

　　通過將器件晶圓表面涂敷摻雜膠層進行表面形貌粗化，提高了嵌入復合膠帶的深度，從而增加了復合膠帶徹底固化后的摩擦力與附著力，解決了剝離失效、溶液清洗脫落等問題，提高了剝離良率。

　　■歌爾科技：2則Micro-LED專利進入審中公布階段

　　1)“Micro-LED器件及其制備方法、頭戴顯示設備專利”：

　　該MicroLED器件包括依次堆疊設置的襯底、n型GaN層、多量子阱有源區層、p型GaN層以及p型電極層;貫穿襯底，延伸至n型GaN層的n型電極;其中，p型電極層包括在p型GaN層上圖案化分布的多個p型電極單元，相鄰兩個p型電極層之間留有間隙;多量子阱有源區層為未被刻蝕的完整結構層;n型電極包括多個，每個n型電極正對一個p型電極層。

　　本申請在對MicroLED器件中的p型電極層進行圖案化刻蝕，而多量子阱有源區層未被刻蝕破壞的基礎上，實現各個不同發光像素點的獨立發光控制功能，在很大程度上保證了MicroLED器件的工作性能。

　　2)“全彩Micro-LED器件及制備方法、頭戴顯示設備”：

　　該全彩MicroLED器件包括：依次堆疊設置的驅動背板、藍光LED外延片、第一光轉換層和第二光轉換層;第一光轉換層和第二光轉換層均為完整結構層;在第二光轉換層背離第一光轉換層的表面上包括多個設置有濾光片的光線輸出區域;每個光線輸出區域上的濾光片為紅光濾光片、藍光濾光片或綠光濾光片中的一種濾光片;第一光轉換層和第二光轉換層中一種為綠色光轉層另一種為紅色光轉換層。

　　本申請的綠色光轉換層和紅色光轉換層堆疊設置且無需刻蝕，降低光轉換層加工難度，利用濾光片實現三種不同顏色光線分區域輸出，保證全彩MicroLED器件的高分辨率。

　　■ 微玖(蘇州)光電：2則AlGaInP紅光MicroLED芯片專利有新進展

　　近日，微玖(蘇州)光電科技有限公司兩則AlGaInP紅光MicroLED芯片相關專利有新進展。

　　首先，“一種改善AlGaInP紅光MicroLED芯片光電性能的方法”的發明專利進入有效授權階段。

　　本申請包括如下步驟：S1，襯底預處理與緩沖層生長;S2，刻蝕阻擋層生長;S3,絕緣膜層制備與圖形化;S4,n型GaN/InGaN歐姆接觸層生長;S5,外延片結構生長：在歐姆接觸層上依次外延生長多種功能層;S6，芯片工藝處理：對外延片進行一系列芯片工藝處理;

　　本申請的n型GaN(InGaN)高摻雜濃度及低接觸電阻率，使芯片串聯電阻較傳統方案降低30%50%，功耗同步下降;避免GaAs材料吸光及金屬層遮光，結合微透鏡陣列，光輸出功率提升25%以上，光提取效率(LEE)提高30%50%;低電阻減少焦耳熱，工作溫度降低1015℃，緩解熱致亮度衰減，延長器件壽命。

　　其次，“一種改善AlGaInP紅光MicroLED芯片散熱性能的方法”的發明專利進入審中公布階段。

　　本申請包括如下步驟：S1，外延結構制備：襯底與緩沖層處理、刻蝕阻擋層與歐姆接觸層生長、功能層堆疊外延;S2，硅基襯底圖形化：介質層與金屬結構制備;S3,金剛石歐姆接觸層集成：p型導電金剛石膜層加工、金屬反射與鍵合;S4,襯底去除與n型結構形成：襯底剝離與n型接觸;S5,后段工藝集成：電極與光學結構制備;本申請的芯片散熱性能顯著提升;串聯電阻降低30%50%;p/n型金剛石歐姆接觸層電阻率較ITO降低12個數量級;避免了GaAs材料吸光與金屬遮光，結合微透鏡陣列，紅光透過率從75%提升至90%以上;兼容現有MOCVD、CVD及光刻工藝，可實現212寸晶圓規?；a，降低制造成本。

　　■ 潤銀星潤光電：一種基于Micro-LED的聚光式微顯示器

　　近日，深圳市潤銀星潤光電科技股份有限公司一種基于Micro-LED的聚光式微顯示器進入審中公布階段。

　　本發明所述顯示器和方法所得到的顯示器包括硅基，像素驅動電路，微型化的micro LED陣列，以及分布式聚光單元，其中，所述陣列中的每個像素單元，從下向上依次為包括單晶硅層的硅基、包括CMOS像素驅動電路層的像素驅動電路、平整層、電極層、RGB micro LED層，石墨烯防眩防護層，以及分布式聚光單元，所述分布式聚光單元包括與每一個像素一一對應的微單元。

　　所述顯示器實現了相同用電功率下的更明亮的觀感，以低成本地節省了用電需求。