近日，兆馳半導(dǎo)體、長春希達(dá)、羅化芯、海目星等公布Micro LED專利，涉及外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、發(fā)光芯片測試方法、器件及其制備方法、修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備等技術(shù)環(huán)節(jié)。

　　兆馳半導(dǎo)體：一種高空穴注入效率Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

　　江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“一種高空穴注入效率Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118899378A，申請公布日為2024月11月5日。

　　圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明公開了一種高空穴注入效率MicroLED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的MicroLED外延結(jié)構(gòu)包括多量子阱發(fā)光層、多階P型空穴注入增強層和P型半導(dǎo)體層;多階P型空穴注入增強層包括第一階空穴注入增強層、第二階空穴注入增強層和第三階空穴注入增強層;第一階空穴注入增強層包括第一AlGaN層和第一InGaN層;第二階空穴注入增強層包括第二AlGaN層和第二InGaN層，第二InGaN層中摻雜有Mg;第三階空穴注入增強層包括第三AlGaN層、第三InGaN層和第四InGaN層，第三InGaN層和第四InGaN層中分別摻雜有Mg。

　　本發(fā)明高空穴注入效率的MicroLED外延結(jié)構(gòu)，可顯著提高P型半導(dǎo)體層的空穴注入效率并改善多量子阱發(fā)光層區(qū)域電子空穴濃度的匹配度，從而提高M(jìn)icroLED芯片在低工作電流密度下的光效。

　　兆馳半導(dǎo)體：用于Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

　　江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“用于Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118888657A，申請公布日為2024月11月1日。

　　圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明公開了一種用于MicroLED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、Micro LED，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。其中，外延結(jié)構(gòu)依次包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、空穴輸運層和P型GaN層;多量子阱層包括交替層疊的量子阱層和量子壘層;所述量子阱層為InxGa1xN層，所述量子壘層包括依次層疊的InyGa1yN層、AlzGa1zN層和BwGa1wN層;x>y;所述量子壘層的厚度<10nm;所述空穴輸運層包括依次層疊的AlαGa1αN層、BβGa1βN層和AlN層;w>α>β。實施本發(fā)明，可提升MicroLED在低電流密度下的光效，提升其顯示效果。

　　長春希達(dá)：一種Micro-LED發(fā)光芯片測試方法

　　長春希達(dá)電子技術(shù)有限公司申請一項名為“一種Micro-LED發(fā)光芯片測試方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118884188A，申請公布日為2024月11月1日。

　　圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：一種MicroLED發(fā)光芯片測試方法，涉及MicroLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決現(xiàn)有采用TFT的AM驅(qū)動技術(shù)驅(qū)動MicroLED顯示器時，由于TFT和LED的性能差異會造成紅綠藍(lán)LED亮度匹配不均造成灰度過度不均勻以及亮度不均勻性的問題。方法通過基于PCB基板設(shè)計MicroLED測試陣列模組，陣列內(nèi)部采用并聯(lián)方式將LED陣列連接，外部采用電壓源直接驅(qū)動方式保證加載到每顆LED上的電壓是一致的。通過測試紅綠藍(lán)三基色MicroLED陣列模組從0灰階到255灰階的數(shù)據(jù)電壓計算得紅綠藍(lán)模組最小灰階電壓的公約數(shù)以及MicroLED白場最小的灰階等級。本發(fā)明適用于MicroLED顯示領(lǐng)域。

　　第三代半導(dǎo)體研究院：Micro-LED器件及其制備方法

　　江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司申請一項名為“Micro-LED器件及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118867068A，申請公布日為2024月10月29日。

　　圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明公開一種MicroLED器件及其制備方法，該方法包括在襯底上依次形成層疊的N型層、第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和第一介質(zhì)層;去除上述膜層的一部分，形成間隔分布的第一凸起、第一凹槽、第二凸起、第二凹槽和第三凸起;在第一凹槽和第二凹槽形成第二介質(zhì)層;去除至少部分第一介質(zhì)層和部分第二介質(zhì)層、露出第一發(fā)光結(jié)構(gòu)并形成第一孔，并形成第一P電極;去除第一凹槽上的第二介質(zhì)層，在第一凹槽槽底依次形成第二發(fā)光結(jié)構(gòu)和第二P電極;去除第二凹槽上的第二介質(zhì)層，并形成第三發(fā)光結(jié)構(gòu)和第三P電極;去除第三凸起、第三凸起表面的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，露出N型層并N電極。采用該方案，保證色彩的純凈度和亮度均勻性，改善發(fā)光效率低下和顏色一致性差的問題。

　　江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司(以下簡稱研究院)于2019年7月注冊于蘇州工業(yè)園區(qū)，是以市場化機制運行的新型研發(fā)機構(gòu)。研究院以培育發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)為目標(biāo)，聚焦第三代半導(dǎo)體在新型顯示、5G 通信、電力電子、環(huán)境與健康等領(lǐng)域的應(yīng)用。

　　海目星：Micro-LED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備

　　海目星激光科技集團(tuán)股份有限公司申請一項名為“Micro-LED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備”的發(fā)明專利，申請公布號為N118848253A，申請公布日為2024月10月29日。

　　圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明公開了一種MicroLED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備，修復(fù)設(shè)備包括支撐架、激光加工組裝置、物鏡組件、Z軸模組和T軸模組，所述物鏡組件沿T軸方向滑動連接于所述支撐架上，所述T軸模組用于驅(qū)動所述物鏡組件移動，以使物鏡組件中不同倍率的物鏡移動至激光加工組裝置射出激光的同軸位置，所述激光加工組裝置沿Z軸方向滑動連接于所述支撐架上，所述Z軸模組用于驅(qū)動所述支撐架移動，以調(diào)節(jié)所述物鏡組件在Z軸方向的位置;修復(fù)方法采用上述修復(fù)設(shè)備實現(xiàn)MicroLED的修復(fù)。本發(fā)明通過不同倍率物鏡的選擇以及物鏡高度的調(diào)節(jié)來自動追焦，從而提高加工的精度，同時提高加工效率。

　　羅化芯：一種多Micro-LED芯片封裝體及其制備方法

　　羅化芯顯示科技開發(fā)(江蘇)有限公司申請一項名為“一種多Micro-LED芯片封裝體及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118867073A，申請公布日為2024月10月29日。

　　圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要：本發(fā)明涉及一種多MicroLED芯片封裝體及其制備方法，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。在本發(fā)明的多MicroLED芯片封裝體的制備方法中，通過優(yōu)化第一氧化鋯鈍化層、第二氧化鋯鈍化層以及第三氧化鋯鈍化層的制備工藝，使得各氧化鋯鈍化層的表面為粗糙結(jié)構(gòu)，進(jìn)而在后續(xù)形成各金屬層時，可以有效提高二者的結(jié)合性能，進(jìn)而可以有效避免各金屬層剝離，且通過形成第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層，為各MicroLED芯片與第二電極之間提供多條導(dǎo)電通路，在后續(xù)的使用過程中，即使某一個導(dǎo)電通路發(fā)生斷路，這也不妨礙各MicroLED芯片的正常使用。

　　羅化芯：一種Micro-LED顯示面板及其形成方法

　　羅化芯顯示科技開發(fā)(江蘇)有限公司申請一項名為“一種Micro-LED顯示面板及其形成方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118867074A，申請公布日為2024月10月29日。

　　圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明涉及一種MicroLED顯示面板及其形成方法，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。在本發(fā)明的MicroLED顯示面板的形成方法中，通過在第二半導(dǎo)體層上形成第一透明導(dǎo)電層，并對所述第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，以形成多個平行排列的條形透明導(dǎo)電凸塊，接著形成第二透明導(dǎo)電層，且設(shè)置第一透明導(dǎo)電層為鎂和氟共摻雜的氧化錫，第二透明導(dǎo)電層為氧化銦錫，通過上述設(shè)置，可以大大提高電流的擴散性能，進(jìn)而可以提高M(jìn)icroLED單元的發(fā)光性能。

　　求是高等研究院：Micro-LED顯示芯片制備方法及Micro-LED顯示芯片

　　江西求是高等研究院申請一項名為“Micro-LED顯示芯片制備方法及Micro-LED顯示芯片”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118825173A，申請公布日為2024月10月21日。

　　圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要 ：本發(fā)明提供了一種MicroLED顯示芯片制備方法及MicroLED顯示芯片，制備方法包括：在生長襯底上沉積GaN外延層和第一鍵合金屬層;在驅(qū)動電路基板表面沉積第二鍵合金屬層后與第一鍵合金屬層鍵合;去除生長襯底及部分GaN外延層后進(jìn)行光刻和刻蝕，以形成若干相互獨立的MicroLED單元;沉積鈍化層和N電極層，得到若干獨立的發(fā)光臺面;在相鄰的兩發(fā)光臺面之間沉積環(huán)形的金屬電極，在金屬電極與發(fā)光臺面之間填充含有量子點和納米熒光粉的粘性光學(xué)涂層;制備微透鏡陣列后貼合在粘性光學(xué)涂層上，以得到目標(biāo)MicroLED顯示芯片。本申請的MicroLED顯示芯片為全彩顯示芯片，發(fā)光亮度強、效率高。